磁性傳感器是接近型傳感器,響應(yīng)于一個(gè)永久磁場,響應(yīng)曲線與磁場方向有關(guān),作用距離大于電感傳感器. 當(dāng)一個(gè)目標(biāo)接近時(shí),線圈鐵芯的導(dǎo)磁性變小,線圈的電感量也變小,Q值增加,激勵(lì)震蕩器震蕩,并使震蕩電流增加
原理:利用感應(yīng)開關(guān)感應(yīng)到磁石后閉合后,傳出一信號(hào)。磁傳感器廣泛用于現(xiàn)代工業(yè)和電子產(chǎn)品中以感應(yīng)磁場強(qiáng)度來測量電流、位置、方向等物理參數(shù)。在現(xiàn)有技術(shù)中,有許多不同類型的傳感器用于測量磁場和其他參數(shù),
例如采用霍爾(Hall)元件,各向異性磁電阻(Anisotropic Magnetoresistance, AMR)元件或巨磁電阻(Giant Magnetoresistance, GMR)元件為敏感元件的磁傳感器。TMR(Tunnel MagnetoResistance)元件是近年來開始工業(yè)應(yīng)用的新型磁電阻效應(yīng)傳感器,其利用的是磁性多層膜材料的隧道磁電阻效應(yīng)對磁場進(jìn)行感應(yīng),比之前所發(fā)現(xiàn)并實(shí)際應(yīng)用的AMR元件和GMR元件具有更大的電阻變化率。
我們通常也用磁隧道結(jié)(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)來代指TMR元件,MTJ元件相對于霍爾元件具有更好的溫度穩(wěn)定性,更高的靈敏度,更低的功耗,更好的線性度,不需要額外的聚磁環(huán)結(jié)構(gòu);相對于AMR元件具有更好的溫度穩(wěn)定性,更高的靈敏度,更寬的線性范圍,不需要額外的set/reset線圈結(jié)構(gòu);相對于GMR元件具有更好的溫度穩(wěn)定性,更高的靈敏度,更低的功耗,更寬的線性范圍。